Atmintinės darbo spartos gerinimas naudojant plazmą

Primary tabs

Dabartinėje ankstyvoje vystymosi stadijoje, skaitmeninės atminties mikroschemos, kurios naudoja

organinius elementus vietoj silicio ar kitų paplitusių neorganinių elementų, atrodo turi neribotą sąrašą duomenų apsvarstymui, testavimui ir optimizavimui.

Nors organinė elektronika yra ypač patraukli dėl savo labai pigios žaliavos ir anksčių substratų, daugybė projektavimo aspektų, kurie skiriasi nuo silicio mikroschemų, turi būti apsvarstyti iš naujo.

Grupė vadovaujama Takhee Lee iš Korėjos 'Gwangju' mokslo ir technologijų instituto parodė optimalų derinį medžiagų ir varžinį atmintinės grandinės projektavimo modelį.
Su specifiniais sudėtiniais polimerais esančiais tarp dviejų aliuminio kontaktų (įjungimo, išjungimo mechanizmas), mokslininkai parodė, kad atidengdami kontaktus 10 minučių sąlyčiui su deguonies plazma, prieš konstruojant atminties elementą, pagreitino signalo greitį 10000 kartų.

'Šis plazminis apdorojimas, norint pagerinti našumą yra labai efektyvus kainos atžvilgiu.' - sakė Byungjin Cho.

Facebook komentarai: